MCU 主頻設置到240Mhz, 啟用定時器，設置1us定時間隔(實際需要到100ns級別)，控制IO口，測量輸出信號周期，方波信號周期為20us,離實際想要的精度差很多，請問怎麼設置，才能到1us級別
不建議設置定於5us的定時值，中斷的跳轉以及中斷函數的執行，本身也會占用時間，會導致結果和預期不符。ns級別的延時只能自己用延時或者空指令來調整實現。另外IO控制如果直接調用GPIO的接口也會導致延時增大，接口本身執行都已經超過延時時間了，可以考慮直接操作寄存器地址來控制IO
。
GPIO翻轉慢問題,封裝一個函數，通過bitband直接操作寄存器。
static void user_bitband_write(enum tls_io_name io, u8 val)
{
if(io > WM_IO_PA_15){
tls_bitband_write(HR_GPIOB_DATA, io - 16, val);
}
else{
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, io, val);
}
}ns延時問題，通過NOP指令，讓CPU死等。
static void delay_ns(void)
{
uint32_t i;
for (i = 0; i < 13; i++)
{
__NOP();
}
}
在主線程裡面跑了，delay_ns，還是只能到1.7us左右，還有其他方法，控制到100ns左右嗎
static inline void delag_ns(uint32_t val)
{
uint32_t i = 0;
for(i = 0; i < val; i++){
__NOP();
}}
static inline void gpio_ctrl(uint8_t stat)
{
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_01, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_02, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_03, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_04, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_05, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_06, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_07, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_08, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_09, stat);
tls_bitband_write(HR_GPIOA_DATA, WM_IO_PA_10, stat); }
void UserMain(void)
{
uint8_t stat = 0;
config_gpio();
while(1){
delag_ns(5);
stat = !stat;
gpio_ctrl(stat);
}}
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ns級別的延時只能自己用延時或者空指令來調整實現，這個需要咋實現啊，優點不理解