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目的是希望写入一些不被轻易擦除的数据到w801内部flash，用户区烧结时选择擦除flash，就被擦除了，所以想修改FT_PARAM结构：
typedef struct FT_PARAM_VER1
{
FT_PARAM_ST ft_param;
unsigned int ext_checksum;
FT_PARAM_ST_EXT_1 ft_ext1;
unsigned char _reversed[FT_PARAM_EXT_REVERSED_LEN];}FT_PARAM_ST_VER1;
_reversed是32字节，这个我能加大些吗？
或者有其他方法不？
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FT_PARAM_ST里的tx_gain 是哪个模块再用？
@solid_2022 发射增益，影响发射功率