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目的是希望寫入一些不被輕易擦除的數據到w801內部flash，用戶區燒結時選擇擦除flash，就被擦除了，所以想修改FT_PARAM結構：
typedef struct FT_PARAM_VER1
{
FT_PARAM_ST ft_param;
unsigned int ext_checksum;
FT_PARAM_ST_EXT_1 ft_ext1;
unsigned char _reversed[FT_PARAM_EXT_REVERSED_LEN];}FT_PARAM_ST_VER1;
_reversed是32字節，這個我能加大些嗎？
或者有其他方法不？
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FT_PARAM_ST裡的tx_gain 是哪個模塊再用？
@solid_2022 發射增益，影響發射功率